Co-Ni基γ/γ'强化高温合金具有优异的高温强度与组织稳定性,目前被视为是航空发动机等高温结构部件的重要候选材料。但该材料体系目前在700-800℃温度区间内的高应力蠕变变形机制与传统Ni基合金存在本质差异,尤其是低层错能(SFE)条件下位错解离、层错与孪晶的协同行为仍缺乏系统认识。
北京科技大学团队于2025年12月16日近期在《Acta Materialia》期刊上发表了题为“Role of planar defects interactions withinγchannels on creep resistance enhancement in a novel Co-Ni based superalloy”的研究论文,团队在γ通道内部直接观察到多类型平面缺陷的复杂交互行为,并提出通过晶体学缺陷工程(defect engineering)优化中温蠕变性能的全新设计思路。通讯作者为北京科技大学的付华栋教授和谢建新院士。
文章链接:
https://doi.org/10.1016/j.actamat.2025.121833
【核心内容】
在该研究中,团队以Co-Ni基多主元合金为对象,提出通过在L12纳米析出相内部构建化学短程有序(SRO)来实现强度与塑性的协同提升。研究发现,Ta元素优先富集于析出相中,并因其与Al的化学亲和力和原子尺寸失配诱导析出相内部的化学非均质性,从而稳定形成SRO结构,SRO显著降低了超晶格本征层错(SISF)的形成能与能垒,促使析出相在变形早期产生高密度SISF与位错锁,提高应变硬化能力。
图形摘要
【研究方法】
研究使用的材料是多晶Co-Ni基高温合金,其标称成分为Co-30Ni-5.5Al-2W-1Ta-4.2Ti-1.5Mo-12Cr-0.08B-0.08C-0.01Zr-0.1Hf-0.4Si(at.%),在经过温度和时间1110℃/6h+1180℃/10h的均匀化处理后,钢锭在1150℃和1050℃下热轧,热轧样品在1070℃处理4h油冷以完成再结晶,然后进行900℃/4h和750℃/12h的两步时效处理,然后空冷(AC)或水冷(WQ)。随后在750℃/620MPa条件下进行分阶段中断蠕变实验(0.1%、0.5%、1.0%应变),并通过SEM、EBSD、HRTEM、STEM-EDS等多尺度表征手段,从晶粒尺度到原子尺度系统解析:γ/γ'组织稳定性、位错-层错-微孪晶的演化路径、γ通道内平面缺陷的相互作用与元素偏聚行为。
【研究成果】
① 初始显微组织特征与优异蠕变性能的建立
该合金形成了平均晶粒尺寸约为11.2μm的均匀细小γ/γ'双相结构,γ'析出相呈现典型的多尺度分布特征,其中晶内二级γ'占据主导地位,体积分数约为51%,为后续蠕变过程中位错活动提供了稳定而连续的强化骨架,在750℃、620MPa的中温高应力条件下,该合金表现出极低的最小蠕变速率(~8.5×10-9 s-1),显著优于传统变形高温合金。
初始微观结构与蠕变性能
不同蠕变应变下γ'相的SEM图像
② γ通道中层错的优先生核与跨相传播行为
在0.1%应变的蠕变初期,塑性变形首先集中于γ通道内部,受低层错能特性影响,γ基体中的全位错易发生解离,并在{111}面上诱发层错结构,这些层错宽度可达5-10nm,且能够在不发生明显阻碍的情况下穿越γ/γ'界面。相较于γ'相内部,γ通道是中温蠕变条件下平面缺陷的首要激活区域,其在早期变形阶段即对蠕变行为产生决定性影响。
0.1%蠕变应变下的堆垛层错和位错
③ γ通道内V形层错与γ'相微孪晶的协同演化
随着蠕变应变增加至约0.5%,γ'相内部逐渐出现典型的微孪晶结构,而在γ通道中则首次观测到由共轭{111}晶面层错相互交汇形成的V形层错构型。这类V形层错具有明显的几何稳定性,其交汇区域可有效俘获并钉扎滑移位错,从而抑制位错的连续迁移。γ通道中层错与γ'相内微孪晶在空间上的协同分布,使得塑性变形被分散并延缓。
0.5%蠕变应变下的微孪晶及堆垛层错相互作用
④ 多层错相互作用诱发零应变孪晶与局部结构转变
当蠕变应变进一步发展至约1.0%时,γ通道内部层错密度显著升高,多组层错在同一区域内发生复杂交互。研究清晰观察到ISF-ISF以及ISF-ESF之间的反应过程,局部区域形成类 Lomer-Cottrell锁结构,显著提高了位错运动阻力。同时,在特定几何条件下,三条部分位错协同作用形成宏观形变为零的孪晶结构,即所谓“零应变孪晶”。此外,连续层错的叠加在局部诱发FCC→HCP类相变,进一步增强了γ通道内平面缺陷网络的结构稳定性,从而有效延缓蠕变损伤的累积。
1.0%蠕变应变下的微观结构及原子分辨率图像
1.0%蠕变应变下平面缺陷的复杂组合
⑤ 平面缺陷处的元素偏聚及其对缺陷稳定性的调控作用
γ通道内的层错与孪晶界面处存在显著的成分重分布现象,Co与Cr元素在平面缺陷区域明显富集,而Ni与Al则表现出相对贫化趋势,同时W元素在层错-孪晶交汇区域出现局部偏聚,这种元素偏聚不仅进一步降低了局部层错能,促进层错的扩展与稳定,还通过溶质拖曳效应抑制位错的交叉滑移与攀移行为,从而在微观层面上稳定了γ通道内的缺陷网络结构。
γ'相中堆垛层错的元素分布
微孪晶与堆垛层错-微孪晶界面的元素共偏聚
堆垛层错形成的Lomer-Cottrell锁结构示意图
宏观零应变孪晶增厚及局部HCP相形成机制
【总结与展望】
该研究从γ通道这一长期被忽视的关键区域出发,系统揭示了中温蠕变条件下层错、微孪晶及其相互作用网络对Co-Ni基变形高温合金蠕变性能的主导作用,该工作不仅深化了对Co-Ni基高温合金蠕变变形机理的理解,也为通过“γ通道缺陷工程”优化下一代盘用高温合金提供了清晰且可操作的设计思路。
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